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IGBT管/模块

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AFGY160T65SPD-B4

  • onsemi(安森美)
  • 新批次
  • AFGY160T65SPD-B4 is a 650 V 160 A IGBT based on trench field stop 3 technology. This product is binned based on Vcesat and Vth i.e. the top side marking on each individual unit defines the range of Vcesat and Vth the particular device has. This allo
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商品目录
IGBT管/模块
IGBT类型
沟槽场截止
功率(Pd)
882W
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
240A
集电极脉冲电流(Icm)
480A
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
-
输入电容(Cies@Vce)
-
导通损耗(Eon)
12.4mJ
关断损耗(Eoff)
5.7mJ
反向恢复时间(Trr)
132ns
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)

Q : 平台上的商品都是正品吗?

A : 请您放心,商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。

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商品其它信息
优势价格,AFGY160T65SPD-B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
库存:10
数量单价合计
1+
¥98.692
¥98.692
10+
¥94.094
¥940.94
30+
¥86.13
¥2583.9
100+
¥79.178
¥7917.8
-+
合计:¥98.7
库存:10起订量:1
最小包装:1递增量:1
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