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FDV305N

品牌:

封装:SOT-23
此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。 PDF数据手册
5+:¥0.78771
50+:¥0.61556
150+:¥0.52943
500+:¥0.46486
3000+:¥0.41327
6000+:¥0.38742
库存:5500
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥3.9
MMBF170LT1G

品牌:

封装:SOT-23
功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23 PDF数据手册
10+:¥0.45584
100+:¥0.3553
300+:¥0.30503
3000+:¥0.2673
6000+:¥0.23716
9000+:¥0.22209
库存:5940
最小起订量:10
最小包装:10
递增量:10
-+
合计：¥4.6
BSS84

品牌:

封装:SOT-23-3
此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A D PDF数据手册
10+:¥0.5192
100+:¥0.41624
300+:¥0.36476
3000+:¥0.29942
6000+:¥0.26851
9000+:¥0.25311
库存:3370
最小起订量:10
最小包装:10
递增量:10
-+
合计：¥5.2
2N7002ET1G

品牌:

封装:SOT-23-3L
N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23 PDF数据手册
20+:¥0.264
200+:¥0.20515
600+:¥0.17248
3000+:¥0.14267
9000+:¥0.12573
21000+:¥0.1166
库存:4900
最小起订量:20
最小包装:20
递增量:20
-+
合计：¥5.3
FDS9945

品牌:

封装:SO-8
此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关? PDF数据手册
1+:¥4.048
10+:¥3.289
30+:¥2.915
100+:¥2.541
500+:¥2.233
1000+:¥2.123
库存:1225
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥4.0
NTF3055L108T1G

品牌:

封装:SOT-223-4
适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。 PDF数据手册
1+:¥5.28
10+:¥4.29
30+:¥3.806
100+:¥3.311
500+:¥2.761
1000+:¥2.607
库存:1136
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥5.3
NTD3055-094T4G

品牌:

封装:TO-252
Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. PDF数据手册
1+:¥5.456
10+:¥4.389
30+:¥3.85
100+:¥3.322
500+:¥3.003
1000+:¥2.838
库存:4818
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥5.5
NTMFS4C029NT1G

品牌:

封装:SO-8FL
功率 MOSFET，30 V，46 A，单 N 沟道，SO?8 FL PDF数据手册
5+:¥1.9283
50+:¥1.54638
150+:¥1.38281
1500+:¥1.17865
3000+:¥1.08768
4500+:¥1.03312
库存:3295
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥9.6
NTJD4001NT1G

品牌:

封装:SOT-363
Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N - Channel, SC - 88 PDF数据手册
10+:¥0.50303
100+:¥0.40249
300+:¥0.35222
3000+:¥0.28611
6000+:¥0.25597
9000+:¥0.2409
库存:7320
最小起订量:10
最小包装:10
递增量:10
-+
合计：¥5.0
FDS6681Z

品牌:

封装:SO-8
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 PDF数据手册
1+:¥7.447
10+:¥6.116
30+:¥5.39
100+:¥4.565
500+:¥4.202
1000+:¥4.037
库存:1496
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥7.4
NTZD3154NT1G

品牌:

封装:SOT-563
这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。 PDF数据手册
10+:¥0.30162
100+:¥0.26158
300+:¥0.24167
1000+:¥0.2266
4000+:¥0.18425
8000+:¥0.1782
库存:8200
最小起订量:10
最小包装:10
递增量:10
-+
合计：¥3.0
NTMFS5C410NT1G

品牌:

封装:SO-8-FL-5.8mm
功率 MOSFET，40 V，0.92 mΩ，300 A，单 N 沟道 PDF数据手册
1+:¥7.051
10+:¥5.786
30+:¥4.389
100+:¥3.773
500+:¥3.399
1500+:¥3.201
库存:8255
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥7.1
FDS9435A

品牌:

封装:SOP-8
此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。 PDF数据手册
1+:¥3.608
10+:¥2.959
30+:¥2.673
100+:¥2.332
500+:¥1.782
1000+:¥1.683
库存:8931
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥3.6
FQD11P06TM

品牌:

封装:DPAK
此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放 PDF数据手册
1+:¥6.611
10+:¥5.412
30+:¥4.752
100+:¥4.015
500+:¥3.685
1000+:¥3.531
库存:1099
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥6.6
MGSF1N03LT1G

品牌:

封装:SOT-23
此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算? PDF数据手册
5+:¥1.15302
50+:¥0.90739
150+:¥0.80212
500+:¥0.61028
3000+:¥0.55176
6000+:¥0.51667
库存:10360
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥5.8
NDS331N

品牌:

封装:SOT-23
此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机? PDF数据手册
5+:¥1.20945
50+:¥0.94798
150+:¥0.836
500+:¥0.69619
3000+:¥0.63393
6000+:¥0.59653
库存:34055
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥6.0
FDN335N

品牌:

封装:SOT-23
此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。 PDF数据手册
5+:¥0.93511
50+:¥0.81554
150+:¥0.76428
500+:¥0.70037
3000+:¥0.67188
6000+:¥0.65483
库存:4040
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥4.7
FDD86102LZ

品牌:

封装:TO-252-2(DPAK)
N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V PDF数据手册
1+:¥4.741
10+:¥3.839
30+:¥3.377
100+:¥2.926
500+:¥2.497
1000+:¥2.354
库存:2254
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计：¥4.7
NTS2101PT1G

品牌:

封装:SOT-323(SC-70)
这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。 PDF数据手册
5+:¥0.5621
50+:¥0.45089
150+:¥0.39523
500+:¥0.35354
3000+:¥0.26224
6000+:¥0.24563
库存:130300
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计：¥2.8
BSS138

品牌:

封装:SOT-23-3L
这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服? PDF数据手册
10+:¥0.363
100+:¥0.3025
300+:¥0.27225
3000+:¥0.16225
6000+:¥0.1441
9000+:¥0.13497
库存:11720
最小起订量:10
最小包装:10
递增量:10
-+
合计：¥3.6
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