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AFBR-S6PY2486

品牌:

封装:TO-39-4

1+:¥1089.627
200+:¥434.775
500+:¥420.244
1000+:¥413.061
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合计:¥1089.6
AFBR-S6PY0211

品牌:

封装:TO-205AD(TO-39-3)

1+:¥866.855
200+:¥345.884
500+:¥334.323
1000+:¥328.614
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-+
合计:¥866.9
AFBR-S6PY1943

品牌:

封装:TO-39-4

1+:¥1089.627
200+:¥434.775
500+:¥420.244
1000+:¥413.061
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最小起订量:1
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-+
合计:¥1089.6
AFBR-S6PY0575

品牌:

封装:TO-205AD(TO-39-3)

1+:¥916.256
200+:¥365.596
500+:¥353.386
1000+:¥347.347
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合计:¥916.3
AFBR-S6PY2626

品牌:

封装:TO-39-4

1+:¥959.959
200+:¥383.031
500+:¥370.238
1000+:¥363.913
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
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-+
合计:¥960.0
AFBR-S6EPR44352

品牌:

封装:TO-39-4

1+:¥916.256
200+:¥365.596
500+:¥353.386
1000+:¥347.347
库存:需询价
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-+
合计:¥916.3
1+:¥916.256
200+:¥365.596
500+:¥353.386
1000+:¥347.347
库存:需询价
最小起订量:1
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-+
合计:¥916.3
WISE-S100-A

品牌:

封装:-

1+:¥2103.288
200+:¥839.223
500+:¥811.184
1000+:¥797.324
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-+
合计:¥2103.3
VCNL40301X01-GS08

品牌:

封装:SMD-8P

1+:¥12.914
10+:¥12.584
30+:¥12.364
100+:¥12.144
库存:41
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥12.9
安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测? PDF数据手册
1+:¥1291.246
200+:¥499.697
500+:¥482.141
1000+:¥473.462
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥1291.2
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥245.608
200+:¥95.051
500+:¥91.707
1000+:¥90.05701
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥245.6
MICROFJ-60035-TSV-TR

品牌:

封装:WBGA-36

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测? PDF数据手册
1+:¥210.837
30+:¥199.749
库存:102
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥210.8
安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测? PDF数据手册
1+:¥811.503
200+:¥314.039
500+:¥303.006
1000+:¥297.55
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥811.5
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥678.04
200+:¥262.394
500+:¥253.176
1000+:¥248.622
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥678.0
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥390.28
200+:¥151.041
500+:¥145.728
1000+:¥143.11
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
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合计:¥390.3
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥678.04
200+:¥262.394
500+:¥253.176
1000+:¥248.622
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥678.0
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥245.388
200+:¥94.96301
500+:¥91.63
1000+:¥89.98
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥245.4
安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化,如 ToF-PET(飞行时间正电子发射层析成像)。由于提高了微单元密度,J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测? PDF数据手册
1+:¥749.375
200+:¥290.004
500+:¥279.807
1000+:¥274.769
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥749.4
安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率,以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 PDF数据手册
1+:¥245.388
200+:¥94.96301
500+:¥91.63
1000+:¥89.98
库存:3000
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥245.4
EKMB1209112

品牌:

封装:-

1+:¥73.084
200+:¥28.292
500+:¥27.291
1000+:¥26.807
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥73.1
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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