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LB1867M-TLM-H

品牌:

封装:MFP-14S

1+:¥4.686
10+:¥3.784
30+:¥3.344
100+:¥2.893
500+:¥2.629
1000+:¥2.497
库存:7476
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥4.7
NCP5369MNR2G

品牌:

封装:QFN-40

1+:¥10.56
10+:¥10.318
30+:¥10.164
100+:¥9.999001
库存:2943
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥10.6
MC33151DG

品牌:

封装:SOIC-8

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器,针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑,输入迟滞实现快速输出开关 PDF数据手册
1+:¥8.569
10+:¥7.128
30+:¥6.336
100+:¥5.434
500+:¥5.038
1000+:¥4.862
库存:需询价
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥8.6
NCV5183DR2G

品牌:

封装:SOIC-8

NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧? PDF数据手册
1+:¥17.875
10+:¥14.993
30+:¥13.189
100+:¥11.341
500+:¥10.516
1000+:¥10.153
库存:2500
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥17.9
MC33153PG

品牌:

封装:SOIC-8

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器,包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT,但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管? PDF数据手册
1+:¥5.918
10+:¥5.786
50+:¥5.423
100+:¥5.335
库存:1000
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥5.9
NCP51810AMNTWG

品牌:

封装:QFN-15(4.4x4)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟,以及 ?3.5 PDF数据手册
1+:¥16.335
10+:¥13.728
30+:¥12.1
100+:¥10.428
500+:¥9.669
1000+:¥9.35
库存:157
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥16.3
NCV5700DR2G

品牌:

封装:SO-16

NCV5700 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器,适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件,提供了一个经济高效的方案。 该器件的保护? PDF数据手册
1+:¥7.37
10+:¥7.205
30+:¥7.106
100+:¥6.996
库存:66
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥7.4
NCP81151MNTBG

品牌:

封装:DFN-8-EP(2x2)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载,传播延迟为 25 ns,转换时间为 25 ns。自适应防交叉? PDF数据手册
5+:¥1.55793
50+:¥1.52779
150+:¥1.50777
500+:¥1.42494
库存:145
最小起订量:5
最小包装:5
递增量:5
-+
合计:¥7.8
NCP302150MNTWG

品牌:

封装:PQFN-31(5x5)

1+:¥11.099
10+:¥9.372001
30+:¥8.415
100+:¥7.348
500+:¥6.864
1000+:¥6.655
库存:48396
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥11.1
FAN3217TMX

品牌:

封装:SOIC-8

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电? PDF数据手册
1+:¥9.24
10+:¥9.031
30+:¥8.899
100+:¥8.756001
库存:20
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥9.2
NCP81074ADR2G

品牌:

封装:SOIC-8

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器,能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流,克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和? PDF数据手册
1+:¥11.99
10+:¥10.054
30+:¥8.844
100+:¥7.601
500+:¥7.051
1000+:¥6.809
库存:85
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥12.0
FAN7390MX

品牌:

封装:SOIC-8

FAN7390 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森 PDF数据手册
1+:¥14.069
10+:¥12.001
30+:¥10.714
100+:¥9.394
500+:¥8.789
1000+:¥8.536
库存:26856
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥14.1
NCV57200DR2G

品牌:

封装:SOIC-8

NCV57200 is a high voltage gate driver with one non?isolated low side gate driver and one galvanic isolated high or low side gate driver. It can directly drive two IGBTs in a half bridge configuration. Isolated high side driver can be powered with an PDF数据手册
1+:¥7.326
10+:¥6.567
30+:¥6.149
100+:¥5.676
500+:¥5.467
1000+:¥5.379
库存:722
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥7.3
NCP5104DR2G

品牌:

封装:SOIC-8

The NCP5104 is a High Voltage Power gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. PDF数据手册
1+:¥8.085
10+:¥6.699
30+:¥5.94
100+:¥4.62
500+:¥4.246
1000+:¥4.07
库存:828
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥8.1
FAN3111ESX

品牌:

封装:SOT-23-5

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项: FAN3111C 具有双 CMOS 输入,阈值参考 VDD,用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他 PDF数据手册
1+:¥4.477
10+:¥3.685
30+:¥3.289
100+:¥2.893
500+:¥2.409
1000+:¥2.277
库存:118
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥4.5
NCP3420DR2G

品牌:

封装:SOIC-8

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器,适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载,传播延迟为 30 ns,转换时间? PDF数据手册
1+:¥3.674
10+:¥3.003
30+:¥2.717
100+:¥2.365
500+:¥2.2
1000+:¥2.112
库存:413
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥3.7
NCP51820AMNTWG

品牌:

封装:QFN-15(4.4x4)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟,以及 ?3.5 PDF数据手册
1+:¥14.971
10+:¥12.672
30+:¥11.231
100+:¥9.757
500+:¥9.086
1000+:¥8.8
库存:1165
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥15.0
NCP5183DR2G

品牌:

封装:SOIC-8

NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧? PDF数据手册
1+:¥15.51
10+:¥13.266
30+:¥11.858
100+:¥8.844
500+:¥8.195
1000+:¥7.909
库存:1813
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥15.5
FAN3225TMPX

品牌:

封装:WDFN-8

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,? PDF数据手册
1+:¥6.16
10+:¥5.577
30+:¥5.269
100+:¥4.906
500+:¥4.158
1000+:¥4.081
库存:2886
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥6.2
NCV68061SNAIT1G

品牌:

封装:TSOP-6

1+:¥6.71
10+:¥5.401
30+:¥4.741
100+:¥4.092
500+:¥3.707
1000+:¥3.498
库存:2324
最小起订量:1
最小包装:1
递增量:1
-+
合计:¥6.7
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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